德州儀器的GaN電源跑在了市場前頭

隨著科技迅速發展，依托于汽車、電腦、手機及工業等應用領域的電源產品也被應用于更多方面。而在當下電源市場，更小尺寸、更高功率的電源產品著實已成為商家競相追逐的風向標。性半導體設計制造公司德州儀器（TI）作為不斷深耕集成電路（IC）及嵌入式處理器的研發者，攜高達10kW應用的新型即用型600V氮化鎵（GaN）功率級產品組合亮相北京TI新聞發布會，為電源市場帶來了不少亮點。

GaN FET器件系列產品通過集成*的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能，為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。

在應用GaN的的具體功率器件中，TI主推了LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070三款產品。它們的競爭優勢在于：1、更小、更有效的解決方案。與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成GaN功率級可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的1MHz開關頻率和高達100V/ns的壓擺率。2、系統的可靠性。此系列產品組合接受了超過2000小時的包括加速和應用內硬開關的設備可靠性測試。并且，每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護，以防止直通和短路情況。3、每個功率級的設備配套服務。50mΩ或70mΩ條件下，本產品組合中的每個器件均提供一個GaN FET、驅動器并提供保護功能，可為低于100W至10kW的應用提供單芯片解決方案。

GaN技術都到關注，很大原因在于它賦予產品的承壓上限。與一般36V、5.5V電源產品不同，LMG341x真正屬于高壓范疇，系列產品電壓可達600V。與此同時，GaN產品可以在很高頻率的開關電源里工作，600V輸入一般只有100kHz頻率，而TI的GaN產品頻率可以跑到1MHz，是傳統頻率的10倍。與此相對應的是，是傳統頻率的10倍。另外，頻率的提高又可以顯著地減小變壓器、電感和電容的體積，因此整體體積減小6倍的GaN產品才得以面世。除了體積之外，GaN產品效率也值得一提。

雖然是一項新技術，但GaN的應用領域已很廣泛。GaN從小功率到大功率，已完成對PE、手機充電器、筆記本充電器，工業自動化和機器人等各個領域的覆蓋。此外，類似于充電樁的電力基礎設施和新能源等大功率應用，從體積的角度考慮，GaN不失為一種合適的選擇。

值得一提的是，相對于硅，氮化鎵功率器件的成本較高。那么Ti如何把控這種成本上升帶來的問題呢？TI高壓電源應用產品業務部氮化鎵功率器件產品線經理Steve Tom對此表示，“新技術剛開始投入使用會產生較高價位，但隨著市場成熟與產品，價格趨勢會往下走。同時，相對于硅GaN頻率更高，外圍電感和電容尺寸較小，因此外圍器件價格更低，具有更高的性價比。后TI發展新的工藝和新的封裝總體趨勢，隨著越多越多的客戶使用新的工藝和新的封裝的話，成本也會越來越低。”

發布會后，為了給電源市場普及更多理論干貨，TI還向記者們分享了《電源設計基礎》，這本出自于PWM控制器之父Robert Mammano之手的實用專業書籍，從電路元器件、電源基本電路拓撲、各種控制策略、磁元件設計、輔助電源電路等各種角度，系統介紹了有關電源內容。